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敏感器件与传感器:

每一种敏感器件都必须由一种物理现象化学反应,或者生物反应相对应,因此半导体传感器是一种新型的传感器,称为sensor ,尽管许多敏感器件已投入使用,但从总体来看,敏感器件仍处于开发阶段,因此还没有统一的国际标准,本章主要介绍国内生产的半导体敏感器。

力敏器件:

他是利用半导体的压阻效应研制出的新型半导体器件, 半导体单晶硅,锗,以及化合物半导体都具有压阻效应。目前主要是利用硅材料制造的力敏器件。一般按芯片的结构工艺来分类,可分为体型应变片,扩散硅(分立)硅-蓝宝石,和集成化四种。

压力传感器可分为应变式压力传感器, 压阻式压力传感器,压电式,电容式,差动式和力平衡式传感器,本节主要介绍有应变式和压阻式压力传感器。

 

应变式压力传感器:

他是利用半导体材料的压阻效应,将被测压力转变为电信号的一种传感器。他用金属丝或箔式应变片接在电桥中,工作时,被测力信号使电桥失去平衡,即可监测出力信号的变化。

 

技术意义:

迟滞:在同一工作条件下做全量程范围校准时,在同一测量点上的正反行程输出的不一致性。

重复性:在相同条件下以同一方向连续施加相同被测数值时,传感器再现读数的能力。

例:CYG01通用高精度压力传感器:量程:0-20kg/cm(2)

允许过载:130%输出阻抗:1.2kohm 工作电源:6-10ma

满量程输出:100mv 工作温度范围:-40--+80C 

  热灵敏度时飘:1—5*1014/C

 非线性:0.3-0.1% 迟滞:0.2-0.05% 重复性0.2-0.05%

太阳能光电池

硅太阳电池是讲太阳光直接转换成电能的一种半导体器件。

2CR系列太阳光电池,表面为大面积PN结型,表面为SIO2减反射膜。

 

例:2CR31 开路电压:450-600mv 短路电流:9-15ma 输出电流:6.5-8.5ma转换效率:6—8%面积: 5*10mm

 

温度传感器:

ICTS100针式温度传感器:

非线性:(0-100C A档《+-1C B档〈+-0.5% C档小于0.2%

响应时间: 0.3-1S  测温范围:-50---150C

灵敏度:-2ma/C 稳定性:《0.05C/h 功耗:《100mw

 

 

光耦合器:

光耦合器是一种实现光--光转换的半导体器件,主要应用于稳压电源,光电开关,逻辑电路等,以取代变压器,继电器等。

参数意义:

电流传输比:当输出管的工作电压为规定值时,输出电流与发光管正向电流之比。一般发光管的正向规定为10ma ,受光器件所加工作电压为,二极管型为Vr , 三级管为10v ,达林顿管为5v (5ma)

入处端绝缘电压:目前规定为1kv 但有些产品可以达到5kv .

 

例:gd11输入电压:<1.3v输入电流:<40ma

输入漏电流:<10ua输出工作电压:>30v

输出漏电流: <0.1ua输出功耗:75mw

传输比: 10-30%传输时间:<4ns隔离电容:<1pf

隔离电阻:10(10)ohm隔离耐压:>0.5kv